什麼是三層單元（TLC）快閃記憶體？它如何運作？
三層單元（TLC）記憶體是多層單元記憶體的版本，能夠儲存每個記憶體單元三位元的資訊。TLC 能讓組織將更多資料封裝在相同的空間內，進而降低資料儲存成本。
TLC 常用於快閃記憶體中，這是一種電子非揮發性電腦記憶體儲存媒體，可進行電力清除和重新程式化。快閃式記憶體的兩種主要類型是 NOR 和 NAND，以 NOR 和 NAND 邏輯閘命名。
TLC 快閃的用途為何？
TLC 快閃的常見使用案例包括 USB 隨身碟、企業級和消費級固態硬碟（SSD），以及數位相機和行動電話的儲存卡。
隨著電腦晶片製造商達到 2D 或單層記憶體單元的可擴充性限制，他們建立了 3D NAND 快閃記憶體，將記憶體單元垂直堆疊在晶片上，以較低的每位元成本實現更高的儲存密度，並提高了快閃記憶體的耐久度。
為什麼它被稱為 TLC？
TLC 是三層單元的縮寫。記憶體單元是電腦記憶體的基本構成要素。Toshiba 於 2009 年引進了三個等級的記憶體單元。不久之後，三星宣布了一種 NAND 快閃記憶體，每個單元可儲存三位元的資訊，並合稱為"三層單元"（TLC）。Samsung Electronics 於 2010 年開始大量生產 TLC，並首次在 840 系列 SSD 中使用。
TLC 如何運作？
每個快閃記憶體微晶片都有數億個單元，傳統上，每個單元都有兩種可能的狀態，無論是否有，這些狀態都取決於微晶片電荷陷阱上的電子存在，該狀態（一或零）是儲存在單層單元（SLC）記憶體中的單位元資料。
TLC 代表每個單元可以儲存三位元資訊。充電陷阱具有八個不同的電位電子電平，產生八個不同的可能對應閾值電壓，從而影響每個單元的儲存二進位值（一或零），最終允許將三個資料儲存在每個單元中，而不是一個。
多層單元（MLC）記憶體是指使用透過四個充電值或電平儲存每個單元兩個位元的單元。雙位元 MLC 的每一個可能的數值和零組合都有一個充電量。
TLC 相較於 SLC 和 MLC 有何優勢？
TLC 相較於 SLC 和 MLC 快閃的主要優勢，是由於資料密度較高，因此每單位儲存的成本較低。因為 TLC 每單元儲存的位元數較多，所以 SLC 的容量是 SLC 的三倍，並提供比雙位元 MLC 高出 1.5 倍的儲存容量。
SLC 記憶體具備更高的寫入速度、更低的耗電量，以及更高的單元耐久性。然而，每 MB 的儲存設備製造成本更高，因為每單元儲存的資料比 MLC 和 TLC 少。
與 SLC 和 MLC 相比，TLC 有哪些缺點？
與 SLC 和 MLC 相比，TLC 的缺點包括：
效能：TLC 的八個電壓位準，與 SLC 的兩個位準和兩個位元的 MLC 的四個位準不同，因此速度會變慢，因為在讀取資料時，必須檢查每個電壓位準並將其轉換回位元。
可靠性：TLC 的八種電壓等級與差異非常小，使得讀取過程比 SLC 和 MLC 對雜訊更加敏感，因此比 SLC 和 MLC 的位元錯誤率更高。
耐用性：一般而言，快閃單元擁有的資料位元和充電量越多，可支援的 P/E 或寫入週期就越少。因此，TLC 快閃記憶體的寫入耐久度都比 SLC 和 MLC 快閃來得低。平面 TLC 記憶體單元通常可承受不超過 500 或 1,000 個寫入週期。
利用 TLC SSD 平衡效能與容量
TLC 快閃記憶體垂直堆疊記憶體單元，以降低每位元的成本，實現更高的儲存密度。TLC SSD 每個單元可以儲存三位元資訊。雖然使用 TLC SSD 儲存資料有明顯的優勢，包括成本較低和資料密度較高，但也有一些缺點，例如效能、可靠性和耐久度。選擇符合您需求的 SSD 將取決於您的預算和資料儲存需求。資料儲存沒有一體適用的選擇，而且有了大量的選擇，您需要先自行研究，並嘗試不同的解決方案，才能做出最佳選擇。
